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自旋電子器件制造技術獲新突破

科技日報北京3月22日電美國明尼蘇達雙城大學研究人員和國家標準與技術研究院的聯合團隊開發了一種製造自旋電子器件的突破性工藝，該工藝有可能成為電晶體晶片新的行業標準。電晶體晶片是電腦、智能手機和許多其他電子產品的核心部件，新工藝將帶來更快、更

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世界首例具有原子精度的全碳電子器件問世

然而，如何製備具有原子級精度的全碳電子器件依舊是未來碳基晶片領域的發展瓶頸。針對這一關鍵科技問題，具有原子級規整結構和優异的電學特性的富勒烯資料作為未來碳基電子器件的潜在覈心單元進入科技家們的視野。

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世界最薄單分子電子器件，厚度約為頭髮絲的1/60000

科技日報訊近日，廈門大學固體表面物理化學國家重點實驗室洪文晶教授研究團隊，與英國蘭卡斯特大學柯林·蘭伯特院士團隊合作，在室溫下製備出了迄今為止世界上最薄的、厚度約為頭髮絲直徑1/60000的單分子電子器件。該研究成果線上發表於國際期刊《科學

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新型能穀電子器件研製成功，或可應用於未來集成電路

這項研究的重要意義在於，首次提出了一種室溫工作的能穀自旋的基本單元器件，這為後摩爾時代的新型穀資訊器件的發展奠定了基礎，展示了能穀資訊器件應用於未來集成電路的可能。

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水凝膠電子器件首次3D列印製備

記者從西湖大學工學院獲悉，該院特聘研究員周南嘉團隊開發了一種水凝膠支撐基質和一種銀—水凝膠複合導電墨水，在國際上首次通過3D列印製備出封裝內部電路的一體化水凝膠電子器件。相關研究成果12月20日發表在國際期刊《自然·電子學》上。團隊此次研究

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按壓10秒！柔性電子器件實現“樂高式”高效組裝

科技日報深圳2月21日電柔性電子器件在人體健康檢測、可穿戴設備等生物醫學工程領域應用前景廣泛。21日，中國科學院深圳先進技術研究院發佈最新科研成果：研究人員開發出一種基於雙連續納米分散網絡的BIND介面，只需要按壓10秒鐘，即可實現柔性電子

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高性能仿貝殼雲母薄膜讓電子器件“柔軟透明”

科技日報合肥8月6日電記者從合肥工業大學獲悉，該校化學與化工學院陸楊教授研究組和中國科學技術大學俞書宏教授研究團隊合作，創新性地採用“解組裝—仿生組裝”的兩步策略，以廉價天然雲母粉為原料，成功實現高品質雲母納米片的大量製備，並組裝成高性能透

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第二代電子電腦使用的電子器件是

第二代電子電腦所採用的電子元件是電晶體。在20世紀50年代之前，電腦都採用電子管作元件。電子管元件有許多明顯的缺點。國外第二代電子電腦的生存期大約是1957-1964年。第二代電腦語言仍然是“面向機器”的語言，但它已註定要成為機器語言向更高

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中科院電晶體所在柔性電子器件與集成系統方面取得系列進展

然而，對於下一代生物醫學設備的應用來說，迫切需要具有長巡航時間、高操作安全性和機械靈活性的可穿戴柔性感測器系統。最近，中科院電晶體所電晶體超晶格國家重點實驗室王麗麗副研究員和沈國震研究員與吉林大學等組織合作，設計了一種新型MXene/BP電

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北大物理學院胡曉東課題組與合作者實現首個異質襯底側向外延的氮化鎵基功率電子器件

氮化鎵資料所具有的寬禁帶、高臨界電場強度和高電子飽和速度，使之成為功率開關器件的理想之選。降低GaN資料缺陷密度、提高晶體材料質量是當前第三代電晶體領域最具挑戰的課題之一，而在廉價且配套產業完善的矽襯底上實現高品質GaN資料的外延生長則是產

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北大物理學院胡曉東教授課題組與合作者實現首個異質襯底側向外延的氮化鎵基功率電子器件

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《自然·電子學》丨北大碳基電子學研究中心張志勇-彭練矛課題組在碳基射頻電子器件研究中取得重要進展

特別是在90GHz以上工作頻段，矽基CMOS電晶體雜訊太大，無法滿足射頻電路需要，化合物半導體器件科技無法滿足大規模數位積體電路的需求，囙此需要新的原理、新的資料、新的器件結構架構來推動通信技術的進一步發展。

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上科大信息學院後摩爾中心在國際電子器件會議發表自旋電子學重要研究成果

IEDM自1955年舉辦以來，在國際電晶體科技界享有很高的學術地位和廣泛影響，是集成電路相關高校、研發機構和行業領軍企業報告其科技突破的重要平臺，也是微電子領域的權威會議和風向標。作為一所新興高校，上海科技大學在僅成立八年即以第一完成單位在

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Adv.，Mater.，用於晶圓級電子器件的全溶液處理範德華異質結

具有不同電學性質的二維範德華資料因其在高性能、低功耗電子器件和光電子器件中的潜在用途而得到廣泛研究。特別是，這些vdW垂直異質結抑制了結構粗糙度、載流子動量損失和化學反應活性，從而獲得了優异的器件效能和環境穩定性。然而，微機械剝離的2D納米

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中國科大在柔性電子器件製備研究中取得重要進展

中國科大信息學院趙剛課題組提出了一種結合納米纖維靜電紡絲和液態金屬範本印刷的新型柔性電子器件製備技術（圖1）。受限於這些因素，柔性電子的大規模集成和封裝以及多層柔性電子器件的製造仍然是一個棘手的問題。該項研究得到了國家重點研發計畫、中國科學

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清華航院張一慧課題組提出一種高集成度柔性電子器件的層疊網格封裝技術

尤其是當柔性電子器件經過封裝後，如何使其保持較高的延展率，是一個亟需克服的挑戰。清華大學張一慧課題組提出了一種小型化、高集成度柔性電子器件的層疊網格封裝技術，實現了兼具高延展率、高覆蓋率和類皮膚力學性能的無機柔性電子器件，解决了經封裝的柔性

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清華團隊闡釋層狀電晶體晶片新材料的橫向結電子器件應用

先進晶片是當前資訊時代和人工智慧時代的最底層科技基石，掌握新一代晶片的資料、工藝、器件、設計、製造是相當長時間內科技戰畧創新的主戰場之一。囙此，在後摩爾時代，如何通過基礎研究，尤其是晶片新材料和新型器件的創新推動下一代高性能晶片的發展是當前

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中國科大在氧化鎵功率電子器件領域取得重要進展

ISPSD是功率半導體器件和集成電路領域國際頂級學術會議。能源、資訊、國防、軌道交通、電動汽車等領域的快速發展，對功率半導體器件效能提出了更高的要求，高耐壓、低損耗、大功率器件成為未來發展的趨勢。氧化鎵作為新一代功率半導體材料，禁帶寬帶大、

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