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新華社北京6月29日電“100年，中國‘芯'”。在慶祝中國共產黨建黨百年之際，北京航空航太大學科研工作者在5個原子層厚的納米磁性薄膜上寫下這幾個字。這個厚度相當於一張普通打印紙的十萬分之一。從“中國”，到“100年，中國‘芯’”，背

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二維層狀半導體材料具有幾個原子層厚度，同時能够保持較高載流子遷移率，是抑制短溝道效應、進一步縮小電晶體尺寸的重要備選資料。然而，現時製備大面積二維電晶體薄膜的方法大多採用不同成核點成核、晶疇生長拼接而成。

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製備具有良好穩定性的晶圓級單晶石墨烯對於其在電子學領域的應用有重要的意義。其次，由於銅容易被氧化，使得銅基襯底上的石墨烯在水氧環境中穩定性較差，不利於石墨烯的保存和應用。

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近日，美國加州大學聖塔芭芭拉分校和瑞士洛桑聯邦理工學院的聯合團隊採用多層異質集成科技成功實現了一種新的集成光電子器件。他們在一個4寸的矽基襯底上採用CMOS相容的電晶體工藝，實現了半導體雷射器和非線性光頻梳的單片全集成和功能化。圖丨實驗獲得

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超薄2D過渡金屬硫化物薄膜由於其良好的電學和結構特性而作為下一代科技中矽電晶體的替代品引起了廣泛關注。現時金屬有機化學氣相沉積法可以在4英寸晶圓上均勻生長MoS2單層。囙此，根據需要精確控制TMD厚度，充分瞭解摻雜原子後電子態的變化是很有必

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近日，由清華大學機械系路新春教授帶領清華大學成果轉化項目公司華海清科研發的首臺12英寸超精密晶圓减薄機正式出機，發往國內某集成電路龍頭企業。該裝備是路新春教授團隊與華海清科股份有限公司繼解决我國集成電路拋光裝備“卡脖子”問題後的又一突破性成

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如果電晶體碳納米管可以排列成密集的陣列，那麼它們有望比場效應電晶體中的Si具有更快的效能和更低的功耗。實現了用於晶圓級電子設備的對齊二維碳納米管液晶。相關研究人員稱利用這項新技術可以實現在工業規模中實現碳納米管的高度排列，填補了碳納米管界近

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北京大學物理學院凝聚態物理與資料物理研究所、人工微結構和介觀物理國家重點實驗室劉開輝教授課題組與合作者提出雙耦合協同調控的全新生長機理，在藍寶石襯底上成功製備2in（英寸）單層單晶二硫化鎢，為基於絕緣襯底的二維單晶資料製備提供了通用技術，有

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與矽基晶片依賴於晶圓級單晶矽錠製備相似，實現二維資料晶片級應用須以大尺寸、高品質的二維單晶製備為基礎。然而，由於難以消除非平行晶疇和缺陷晶界，如何在絕緣襯底上外延生長出晶圓級二維過渡金屬硫族化物是亟待解决的關鍵難題。

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二維過渡金屬碳化物和氮化物MXene被公認為在電子和光電器件中具有重要應用潜力。然而，已報導的MXene薄膜的圖案化方法難以兼顧效率、分辯率和與主流矽工藝的相容性。該陣列具有優异的均勻性、高解析度成像能力、迄今為止最高的MXene光電探測器

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2021年，英特爾將基於二硫化鉬的電晶體科技列為面向下一個十年的三大突破性科技之一。近年來，國際上已在單層二硫化鉬的晶圓製備及大面積器件構築方面不斷取得突破，在晶圓質量和器件效能方面逐漸逼近極限。

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2020年10月，三星太子李在F專門去了一趟荷蘭，目的非常明確：跟阿斯麥高層見面，敦促對方趕快交付三星訂購的9臺EUV光刻機，好讓三星追趕台積電。三個月後，李在F被起訴“親信門”賄賂罪，當庭入獄。今年1月，英特爾甚至截胡台積電，成功搶購第一

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工信部最新資料公佈：上半年我國生產的集成電路有1000多億塊，同比增長16.4%。圍繞電晶體領域我國現在缺少的不是產能而是最尖端的科技，這個產業鏈上科技最難攻克的是晶圓製造。

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7月28日晚間，華潤微發佈2020年中報業績公告，財報顯示2020年中華潤微營業收入30.63億元，同比增長16.03%，淨利潤4.03億元，同比增長145.27%，扣非後淨利潤3.45億元，說明中報業績的含金量很高。華潤微是國內功率電晶體

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